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分子泵入口應(yīng)裝設(shè)防護(hù)網(wǎng),以避免異物進(jìn)入泵內(nèi)損壞泵轉(zhuǎn)子和定子葉片。抽氣系統(tǒng)裝有單獨(dú)粗抽管路的渦輪分子泵抽氣系統(tǒng)的操作方法與擴(kuò)散泵抽氣系統(tǒng)相似。在開始粗抽以前,高真空閥和粗抽閥是關(guān)著的,而前級(jí)管道閥是打開的。首先關(guān)閉前級(jí)閥,啟動(dòng)粗抽泵(兼前級(jí)泵),打開粗抽閥開始對(duì)真空室進(jìn)行抽氣。在真空室內(nèi)的壓力降到150~100Pa時(shí)關(guān)閉粗抽閥,打開前級(jí)管道閥,再啟動(dòng)渦輪分子泵(需先接通冷卻系統(tǒng))。
如果分子泵入口處裝有液氮冷阱,則應(yīng)在泵加速到額定轉(zhuǎn)速后(一般需5~10min)加注液氮。1-渦輪分子泵;2-液氮冷阱;3-放氣閥;4-電離規(guī);5-熱傳導(dǎo)規(guī);6-粗抽閥;7-機(jī)械泵;8-前級(jí)管路閥;9-高真空閥。圖1 典型渦輪分子泵抽氣系統(tǒng)粗抽系統(tǒng)的配置隨真空室的容積大小而有所不同。對(duì)500L/s或更小的渦輪分子泵來說,可采用一臺(tái)雙級(jí)旋片泵;1000L/s以上的渦輪分子泵則采用以機(jī)械泵為前級(jí)泵的羅茨泵機(jī)組。
在壓力為100到150Pa時(shí)關(guān)閉粗抽閥,把真空室切換到渦輪分子泵上。對(duì)某些泵,這樣做會(huì)引起輕微而滯后的瞬時(shí)減速,但這對(duì)抽氣并無影響。正如擴(kuò)散泵抽氣系統(tǒng)那樣,渦輪分子泵系統(tǒng)中的很主要的物質(zhì)是水蒸氣,其臭氣時(shí)間將受液氮冷阱抽速的支配。如果不用液氮冷阱,那么這個(gè)系統(tǒng)抽除水蒸氣的速度就會(huì)比同樣抽速的無冷阱擴(kuò)散泵略慢一些。
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分子泵的葉輪是高速旋轉(zhuǎn)的精密件,在分子泵運(yùn)轉(zhuǎn)中,不允許固體雜物落到葉輪上,以避免損壞葉輪。也要防止大氣突然沖入正在運(yùn)轉(zhuǎn)中的分子泵。因?yàn)檫@也有可能損壞葉輪,此外,分子泵運(yùn)轉(zhuǎn)過程中,要遠(yuǎn)離強(qiáng)磁場。結(jié)論改變氦質(zhì)譜檢漏儀的分子泵轉(zhuǎn)速,檢測(cè)信號(hào)值發(fā)生變化,儀器在運(yùn)行時(shí),分子泵轉(zhuǎn)速改變后,只要改變漏率信號(hào)的修正系數(shù),無需再次定標(biāo),即可保證檢測(cè)漏率的準(zhǔn)確性。
若儀器檢測(cè)信號(hào)時(shí),信號(hào)值偏小,可以考慮降低儀器的分子泵轉(zhuǎn)速,來提高檢測(cè)信號(hào)值,提高儀器的檢測(cè)靈敏度。:渦輪分子泵應(yīng)用于角分辨光電子能譜ARPES渦輪分子泵應(yīng)用于角分辨光電子能譜ARPES。角分辨光電子能譜Angleresolvedphotoemissipectroscopy簡稱ARPES利用光電效應(yīng)研究固體的電子結(jié)構(gòu).
光電子在真空飛行的過程中,被一個(gè)接受角度很小的能量分析器收集計(jì)數(shù).角分辨光電子能譜主要由光源,電子分析器,樣品控制臺(tái)以及超高真空的獲得和維護(hù)系統(tǒng)組成.分子泵廣泛配套在真空系統(tǒng)已保證超高真空的獲得,同時(shí)搭配殘余氣體分析儀PrismaPlus共同使用.
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通用的沉積技術(shù)有化學(xué)氣相淀積(CVD)、蒸發(fā)和濺射PVD。一般來說,其中還要夾雜低溫(≤500℃)退火工藝等熱處理工藝,用以增進(jìn)金屬層和半導(dǎo)體之間的低電阻接觸、消除內(nèi)應(yīng)力等。設(shè)備運(yùn)行過程中需要高潔凈的真空環(huán)境,一般采用以磁懸浮分子泵為主的無油真空系統(tǒng)。
刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程??涛g的基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地掩膜圖形。現(xiàn)代化的干法刻蝕設(shè)備包括復(fù)雜的機(jī)械、電氣和真空系統(tǒng),同時(shí)配有自動(dòng)化的刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)和控制裝置。刻蝕應(yīng)用工況復(fù)雜,清潔性差,充入特種氣體種類繁多,因此需要特殊處理的干泵和磁懸浮分子泵。
離子注入設(shè)備:離子注入是指在真空環(huán)境下,當(dāng)離子束射向固體材料時(shí),受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來,并很終停留在固體材料中的現(xiàn)象。離子注入是半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜的主要技術(shù),其目的是改變半導(dǎo)體的載流子濃度和導(dǎo)電類型。離子注入機(jī)是集成電路制造工序中的關(guān)鍵設(shè)備,需要高清潔的真空環(huán)境,以保證離子摻雜濃度和劑量的準(zhǔn)確性。
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